irf9130 transistor da folha de dados pdf

IRF9130
fabricante : Samsung semiconductor
descrição : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9130
fabricante : Seme
descrição : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
fabricante : Intersil Corporation
descrição : -12A, -100V, 0.30 P-Channel Power MOSFET

IRF9130
fabricante : International Rectifier
descrição : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
fabricante : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
descrição : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9130
fabricante : Seme LAB
descrição : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
fabricante : Intersil Corporation
descrição : -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET

IRF9130
fabricante : International Rectifier
descrição : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
fabricante : International Rectifier
descrição : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

IRF9130
fabricante : Intersil Corporation
descrição : -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET

IRF9130
fabricante : Seme LAB
descrição : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9130
fabricante : Semelab
descrição : 100V Vdss P-Channel FET (field effect transistor)

IRF9130
fabricante : IR
descrição : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.30 Ohm, ID = -11A

IRF9130
fabricante : Intersil
descrição : -10A and -12A, -80V and -100V, 0.30 and 0.40 Ohm, P-Channel Power MOSFETs